電力系統的常用名詞術語解釋
第一部分
1 電流（current）：電荷在電場力作用下的有序運動形成電流，衡量電流大小的量是電流強度，簡稱電流。其量值為單位時間內通過電路某一導體橫截面的電荷量。用符號i(t)表示，單位為A（安培）。
2 電壓(voltage)：電場力將單位正電荷由一點移到另一點時所做的功，是衡量電場力做功能力的物理量。用符號u(t )表示，單位為V（伏特）。
3 電動勢(electromotive force)：電源中的局外力（非電場力）將單位正電荷從電源負極移到電源正極所做的功，是衡量局外力做功能力的物理量。用符號e(t)表示，單位為V（伏特）。
4 電位(electric potential)：在電路中任選一點為參考點，由某點到參考點之間的電壓稱為該點的電位，用符號V表示，單位為V（伏特）。
5 電能(electrical energy)：在一段時間內電場力所做的功稱為電能，用符號W表示，單位為J（焦耳）。
6 戴維寧定理(Thevenin’s theorem)：在線性電路中，任何一個含有獨立源的二端網絡，對外電路而言，可以用一個理想電壓源與電阻串聯的電路等效代替。電壓源的電壓等于有源二端網絡的開路電壓，電阻等于有源二端網絡中所有獨立電源置零后的等效電阻。
7 疊加定理(superposition theorem)：在線性電路中，任一支路的電流或電壓，均等于電路中各個獨立電源單獨作用時，在該支路產生的電流或電壓的代數和。
8 基爾霍夫電流定律(Kirchhoff’s current law簡稱KCL)：電路中任一瞬間，流入任一結點的支路電流之和恒等于流出該結點的支路電流之和?；虮硎鰹殡娐分腥我凰查g，任一結點的支路電流的代數和恒等于零。
9 基爾霍夫電壓定律(Kirchhoff’s voltage law簡稱KVL)：電路中任一瞬間，任一回路各元件電壓升之和恒等于電壓降之和。或表述為電路中任一瞬間，任一回路各支路電壓的代數和恒等于零。
10 歐姆定律(Ohm’s law)：表示電路中電壓u、電流i和電阻R三者之間關系的基本定律，即 。
11 參考方向(reference direction)：分析電路時任意假定的電流或電壓的方向。規定了參考方向以后，電流或電壓就是一個代數量，若電流或電壓為正值，則電流或電壓的實際方向與參考方向一致；否則電流或電壓的實際方向與參考方向相反。
12 額定值(rated value)：各種電氣設備在工作時，其電壓、電流和功率都有一定的限額，這些限額表示它們的正常工作條件和工作能力。額定值一般用下標N表示。
13 功率(power)：單位時間內電路吸收或發出的電能。用符號P或p(t)表示，單位為W（瓦特）。
14 有功功率(active power)：瞬時功率在一個周期內的平均值，也稱為平均功率，用大寫字母P表示，單位為W（瓦特）。
15 無功功率(reactive power)：以瞬時功率的幅值來衡量電感或電容元件與電源之間交換能量的規模，稱為無功功率，用大寫字母Q表示，單位為Var（乏爾）。
16 視在功率(apparent power)：在交流電路中，端電壓與電流的有效值的乘積，稱為視在功率，它表示電氣設備的容量。用大寫字母S表示，單位為V·A（伏安）。
17 瞬時功率(instantaneous power)：瞬時電壓與瞬時電流的乘積。用小寫字母p表示，單位為W（瓦特）。
18 電阻元件(resistor)：表征電路中電能消耗的理想元件，簡稱電阻。用R表示，單位為（歐姆）。
19 電感元件(inductor)：表征電路中磁場能儲存的理想元件，簡稱電感。用L表示，單位為H（亨利）。
20 電容元件(capacitor)：表征電路中電場能儲存的理想元件，簡稱電容。用C表示，單位為F（法拉）。
理想電路元件(ideal circuit elements)：從實際元件中抽象出來的表征單一物理性質的電路元件。
電路模型（circuit model）：用理想電路元件或它們的組合模擬實際元件的電路。
22 電壓源(voltage source)：提供一個恒定不變或交變電壓的理想電路元件，是理想電壓源的簡稱。
23 電流源(current source)：提供一個恒定不變或交變電流的理想電路元件，是理想電流源的簡稱。
24 受控源(controlled source)：電壓源的電壓或電流源的電流受其他電路的電壓或電流的控制的電源。
阻抗(impedance)：無源二端網絡的端口電壓 與端口電流之比，即 。阻抗是一個復數，也常稱為復阻抗。單位為（歐姆）。
26 導納(admittance)：無源二端網絡的端口電流 與端口電壓 之比，即，它是一個復數，也常稱為復導納。單位為S（西門子）。導納是阻抗的倒數。
27 阻抗角(impedance angle)：阻抗的輻角，是電路中電壓與電流的相位差，由電路本身參數決定。
相量(phasor)：在正弦交流電路中，表示正弦量的復數。其模表示有效值或最大值，輻角表示初相位。
29 正弦量(sinusoid)：電路中按正弦或余弦規律變化的電壓或電流等物理量。
30 相量圖(phasor diagram)：將電路中的相量以有向線段的形式畫在復平面上，稱為相量圖。
31 有效值(effective value)：正弦交流電流通過電阻R在一個周期內產生的熱量與某一直流電流I通過相同電阻R在相等時間內所產生的熱量相等時，則稱此直流電流的數值I是該交流電流的有效值。
32 感性電路(inductive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓超前于總電流，則稱電路為感性電路。
33 容性電路(capacitive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓滯后于總電流，則稱電路為容性電路。
34 阻性電路(resistive circuit)：在交流電路中，如果電路中總電壓與總電流同相，則稱電路為阻性電路。
35 幅值(amplitude)：也稱最大值，是正弦量在隨時間變化的整個過程中所達到的最大值。
36 角頻率(angular frequency)：正弦量的相位隨時間變化的速率。
37 瞬時值(instantaneous value)：電量在隨時間變化過程中某一時刻的數值。
38 相位(phase)：正弦量隨時間變化的角度（ ）。
39 初相位(initial phase)：正弦量的相位（）在t=0時的值。
40 相位差(phase difference)：兩個同頻率正弦量的相位之差。
41 三相交流電源(three phase source)：由三個幅值相等，頻率相同，彼此間具有120o相位差的正弦電源組成的電源。
42 三相交流電路(three phase alternating circuit)：由三相交流電源供電的交流電路。
43 三相四線制電路(three phase four wire system)：有中線的三相交流電路。
44 三相三線制電路(three phase three wire system)：無中線的三相交流電路。
45 相電壓(phase voltage)：三相交流電路中，相線與中線之間的電壓。
46 相電流(phase current)：三相交流電路中，流過每相電源或每相負載的電流。
47 線電壓(line voltage)：三相交流電路中，相線與相線之間的電壓。
48 線電流(line current)：三相交流電路中，流過相線的電流。
49 電源的星形聯結(Y-connected source)：將三相電源繞組的三個末端U2、V2、W2聯在一起，成為一個公共點，用N表示。由三相電源繞組的三個首端U1、V1、W1引出三根相線L1、L2、L3與外電路連接，N點也可以引出一根中線與外電路連接，這種接法稱為電源的星形聯結。
第二部分
1 磁感應強度 (flux density)：表示磁場內某點的磁場強弱和方向的物理量，單位是特斯拉（T）,用符號B表示。其大小可用通電導體在磁場中受力的大小來衡量，即 （該導體與磁場方向垂直），其方向與產生磁場的電流的方向遵循右螺旋關系。磁感應強度也叫磁通密度。
2 磁場強度 (magnetizing force)：磁場強度H與磁感應強度B的關系是 （為磁導率），是一種引用的物理量，用來表示磁場與電流之間的關系。
3 磁通 (flux)：磁感應強度與垂直于磁場方向的面積的乘積叫做磁通，單位是韋伯（Wb）。
4 磁導率（permeability）：又稱導磁系數，是衡量物質的導磁性能的一個物理量，可通過測取同一點的B、H值確定。物質按導磁性能的不同分為磁性物質（或稱鐵磁物質，如鐵、鈷、鎳及其合金）和非磁性物質（如銅、鋁、橡膠等絕緣材料及空氣）。非磁性物質的磁導率近似等于真空的磁導率，而鐵磁性物質的磁導率遠大于真空的磁導率，即 >> 。
5 磁滯 (hysteresis)：鐵磁體在反復磁化的過程中，其磁感應強度的變化總是滯后于它的磁場強度，這種現象叫磁滯。
6 磁滯回線 (hysteresis loop)：在磁場中，鐵磁體的磁感應強度與磁場強度的關系可用曲線來表示，當磁化磁場作周期性變化時，鐵磁體中的磁感應強度與磁場強度的關系是一條閉合線，這條閉合線叫做磁滯回線。
7 基本磁化曲線 (fundamental magnetization curve)：鐵磁體磁滯回線的形狀與磁感應強度（或磁場強度）的最大值有關，在繪制磁滯回線時，如果對磁感應強度（或磁場強度）最大值取不同的數值，就得到一系列的磁滯回線，連接這些回線頂點的曲線叫基本磁化曲線。
8 磁飽和（magnetic saturation）：在磁化曲線中，當磁場強度增加到一定值以后，磁場強度繼續增加，而磁感應強度卻增加得很少的現象。
9 磁滯損耗 (hysteresis loss)：放在交變磁場中的鐵磁體，因磁滯現象而產生一些能量損耗，從而使鐵磁體發熱，這種損耗叫磁滯損耗。
10 磁路 (magnetic circuit)：為了使較小的電流產生較大的磁通，常將鐵磁性材料做成一定形狀的鐵心，磁通的絕大部分經過鐵心閉合，這種由鐵心（含氣隙）構成的磁通的通路，稱為磁路。
11 磁通勢 （magnetomotive force）：線圈的匝數N與電流I的乘積稱為磁通勢F。
12 磁阻 (reluctance)：磁阻定義為 ，其中為磁路的平均長度，S為磁路的平均截面積， 為磁導率。
13 一次繞組 (primary winding)：與電源相聯的繞組，也稱原繞組或初級繞組。
14 二次繞組 (secondary winding)：與負載相聯的繞組，也稱副繞組或次級繞組。
15 變比 (ratio of transformation)：即為變壓器一次、二次繞組的匝數比，用k表示。實際中也常用變壓器的額定電壓之比表示變壓器的變比。
16 電壓調整率（voltage regulation）：當變壓器外加電源電壓一定，變壓器從空載到負載運行時，二次繞組電壓的變化程度。它反映了變壓器供電電壓的穩定程度。公式表示為
17 額定電流（rated current）：變壓器的額定電流是指按規定工作方式（長時連續工作或短時工作或間歇工作）運行時一次、二次繞組允許通過的最大電流，是根據絕緣材料允許溫度確定的。
18 額定電壓（rated voltage）：受絕緣強度和允許溫升的限制，使變壓器長期可靠工作的電壓。實際中，用變壓器空載時一次、二次繞組的電壓表示。
19 額定容量(rated capacity)：額定電壓與額定電流的乘積稱為變壓器的額定容量，單位為伏·安（VA）。變壓器的額定容量反映了傳送功率的能力。
20 銅損（copper loss）：在交流鐵心線圈中，線圈電阻上的發熱損耗，稱為銅損。
21 鐵損（core loss）：在交流鐵心線圈中，處于交變磁化下的鐵心中的功率損耗，稱為鐵損。鐵損包含磁滯損耗和渦流損耗兩部分。
22 渦流損耗（eddy current loss）：在交變磁場作用下，鐵心中產生感應電動勢，這將在垂直于磁通方向的鐵心平面內產生旋渦狀的感應電流，稱為渦流。由渦流在鐵心內產生的發熱損耗，稱為渦流損耗。
23 同名端（common polarity terminal）：又稱同極性端，當電流從兩個線圈的同名端流入（流出）時，產生的磁通方向相同；或者當磁通變化時，在同名端感應電動勢的極性相同。
24 效率（efficiency）：是變壓器的輸出功率P2與對應的輸入功率P1的比值，通常用百分數表示。
25 電磁鐵(electromagnet)：是利用電磁力實現某一機械動作的多用途的電磁元件。
26 異步電動機 (induction motor)：又稱感應電動機，可將交流電能轉換為機械能，其電動機的轉子轉速總是低于旋轉磁場的轉速（同步轉速），故稱異步電動機。
27 定子（stator）：電機固定不動的部分稱為定子，由機座和裝在機座內的圓筒形鐵心以及其中的定子繞組組成。
28 轉子（rotor）：電機旋轉并拖動機械負載的部分稱為轉子。由轉子鐵心、轉子繞組和轉軸等幾部分組成。三相異步電動機根據構造上的不同分為兩種型式：鼠籠型和繞線型。
29 同步電動機 （synchronous motor）：是一種交流電機，可將交流電能轉換為機械能，其電動機的轉子轉速為某一固定的同步轉速，故稱同步電動機。
30 旋轉磁場 (rotating magnetic field)：當三相異步或同步電動機的定子繞組中通入三相電流后，所生合成磁場隨電流的交變而在空間以固定轉速旋轉，稱為旋轉磁場。
31 同步轉速 (synchronous speed)：三相異步電動機的旋轉磁場的轉速稱為同步轉速，用 表示，（f為電源頻率，p為電機繞組的極對數）。
32 轉差率 (slip)：表示三相異步電動機的轉子轉速（n）與旋轉磁場轉速（n0）相差程度的物理量，即，是表示異步電動機運行狀態的重要參數。
33 電磁轉矩 (electromagnetic torque)：三相異步電動機轉子電流與旋轉磁場的相互作用產生電磁力，使電動機轉子產生電磁轉矩，其大小與轉子電流以及旋轉磁場每極磁通成正比。
34 機械特性 (mechanical characteristics)：在一定的電源電壓和轉子電阻之下，轉矩與轉差率的關系或轉速與轉矩的關系稱為異步電動機的機械特性。通過機械特性，可以研究電動機的運行性能。
35 起動（start）：異步電動機由靜止狀態過渡到穩定運行狀態的過程稱為異步電動機的起動。在選擇起動方法時應考慮是否有足夠的起動轉矩和起動電流的限制。
36 調速（speed regulation）：指電動機在同一負載下得到不同的轉速，以滿足實際需要。異步電動機調速的方式一般包括：變極調速、變頻調速、變轉差調速、調壓調速和轉子電路串電阻調速等。
37 制動（brake）：指電動機的轉矩T與電動機轉速n的方向相反時的情況，此時電動機的電磁轉矩起制動作用，使電動機很快停下來。異步電動機的制動方式一般包括電源反接制動和能耗制動。
38 起動系數(start coefficient)：電動機的起動轉矩與額定轉矩之比稱為起動系數，它衡量了電動機起動能力的大小。一般異步電動機的起動系數為1.7～2.2。
39 過載系數(overload coefficient)：電動機的最大轉矩與額定轉矩之比稱為過載系數，它衡量了電動機過載能力的大小。一般異步電動機的過載系數為1.8～2.2。
40 脈振磁場（pulsating magnetic field）：單相異步電動機的定子繞組是單相繞組，工作時定子繞組接在單相交流電源上，單相電流通過單相繞組產生與繞組軸線一致、而大小和方向隨時間作正弦規律變化的交變磁場，稱為脈振磁場。
41 直流電動機(direct-current motor)：將直流電能轉化為機械能的旋轉機械裝置。
42 電樞(electric armature)：是直流電動機的轉子，包括電樞鐵心、電樞繞組和換向器等三部分，用于產生電動勢和電磁轉矩，從而將電能轉換為機械能，其地位是樞紐作用。
43 換向器(commutator)：亦稱整流子，起整流作用，由楔形銅片組成，彼此絕緣。安裝于轉軸上，是直流電動機的構造特征。其作用是使電樞繞組中的電流方向是交變的，以保證其電磁轉矩方向始終不變。
44 電樞電勢(counter-electromotive force):電動機電樞線圈通電后在磁場中受力而旋轉。當電樞在磁場中轉動時，線圈中也要產生感應電動勢，稱為電樞電勢。由右手定則，電樞電勢的方向與電流、或外加電壓的方向總是相反，故又稱反電動勢。
45 勵磁方式(acceleration of motor)：是指勵磁繞組如何供電、產生勵磁磁通勢以建立主磁場的方式。根據勵磁方式不同，直流電機可分為他勵、并勵、串勵和復勵四種。
46 他勵電動機(separated excited motor)：他勵電動機的勵磁繞組和電樞繞組互不相連，分別由獨立電源供電。
47 并勵電動機(shunt motor)：并勵電動機的勵磁繞組和電樞繞組相并聯，由同一電源供電。
48 串勵電動機(series motor)：串勵電動機的勵磁繞組和電樞繞組相串聯，由同一電源供電。
49 復勵電動機(compound motor)：復勵電動機有兩個繞組，一個與電樞繞組相并聯，稱為并勵繞組；另一個與電樞繞組相串聯，稱為串勵繞組。然后，由同一電源供電。
50 伺服電動機(servomotor)：又稱執行電動機，是一種控制電機，可將輸入的電壓信號轉換為軸上的角位移或角速度輸出，以驅動控制對象，可分為交流伺服電動機（用交流電源）和直流伺服電動機（用直流電源）。
51 步進電動機(stepmotor)：又稱脈沖電動機，是一種控制電機，利用電磁鐵的作用原理可將電脈沖信號轉換為角位移。即電動機每輸入一個脈沖信號，步進電動機便轉過一定角度。電動機轉過的總角度與輸入脈沖數成正比，故轉速與脈沖頻率成正比。
52 組合開關（switch）：又稱轉換開關，常用于電源的引入開關，也可直接驅動小容量電動機的起停，也可控制局部照明電路。
53 按鈕(button)：通常用于接通或斷開電動機的控制電路。其動作原理是將按鈕帽按下時，常閉觸點先斷開，以分斷某一控制線路；而常開觸點后閉合，以接通另一控制電路。松開按鈕帽，在彈簧的作用下，觸點的通斷狀態恢復常態。
54 行程開關(travel switch)：又稱限位開關，用于控制某些機械的行程和限位。其作用原理是，生產設備上安裝的擋鐵觸動行程開關的操作機構，使其觸頭閉合或斷開，發出電控信號。行程開關有機械式和電子式兩種類型。
55 熔斷器(fuse)：是一種最簡便有效的電動機短路保護電器。一般串接于電動機主電路或控制電路中，一旦發生短路或嚴重過載，熔斷器立即熔斷，切斷電源，避免事故擴大。熔斷器也可用于照明電路的過載保護。
56 繼電器(relay)：是一種根據外界輸入信號（電量或非電量）來控制電路通斷的自動切換電器。它主要用來反映各種控制信號，觸點通常接在控制電路中。根據所傳遞信號不同可分為：電流繼電器、電壓繼電器、熱繼電器、時間繼電器、中間繼電器等。根據動作原理可分為：電磁式、感應式、電子式、熱繼電器等。
57 中間繼電器（intermediate relay）：利用線圈通電控制觸點動作，主要用在輔助電路中，其額定電流比較小，一般不超過5A，而觸點的數量較多。
58 熱繼電器（thermal relay）：利用電流的熱效應控制觸點的動作，常用于電動機的過載保護。
59 時間繼電器（time relay）:可實現延時控制，種類很多，原理結構各不相同，常用的時間繼電器有空氣阻尼式、電動式和電子式等。
60 斷路器（circuit breaker）：又稱空氣開關或自動開關，可實現短路、過載和失壓保護。
61 主電路（main circuit）:直接供電給電動機、電流較大的電路，包括電源及其引入開關、熔斷器、接觸器主觸點和電動機等設備。
62 輔助電路（controlled circuit）:用于完成信號傳遞及邏輯控制、電流較小的電路。由于可按一定規律控制主電路，所以又稱控制電路。通常由按扭、接觸器線圈、輔助觸點、繼電器等控制電器組成。
63 自鎖(self-locking)：當起動按鈕松開時，由于與之并聯的接觸器輔助常開觸點和主觸點同時閉合，因而使接觸器線圈電路仍然接通，主觸點保持閉合位置，電動機繼續運轉。故稱這個輔助觸點為自鎖觸點，完成自鎖功能。
64 接觸器(contactor)：接觸器是最常用的一種自動開關，主要由電磁鐵和觸點兩部分組成，是利用電磁吸力使觸點閉合或分斷的電器。它根據外部信號（如按鈕或其他電器的觸點的閉合或分斷）來接通或斷開帶有負載的電路。適合于頻繁操作的遠距離控制,并具有失壓保護的功能，一般作為電動機接通電源的主開關。
65 互鎖(mutual-locking)：控制電路中，一個接觸器KMF的常閉輔助觸點串接在另一個接觸器KMR的閉合電路中，而KMR的一對常閉輔助觸點串接在KMF的線圈電路中。這兩個交叉串聯的常閉觸點稱為互鎖觸點。互鎖使兩個接觸器不同時工作。
66 可編程控制器(programmable logic controller):即PLC，是一種數字運算操作的電子系統裝置，專為在工業現場應用而設計。PLC采用可編程序的存儲器，用來在其內部存儲執行邏輯運算、順序控制、定時/計數和算術運算等操作的指令，并通過數字式或模擬式的輸入和輸出，控制各種類型的機械或生產過程?？删幊炭刂破骷捌溆嘘P設備都應按易于與工業控制器聯成一個整體和易于擴充其功能的原則進行設計。
67 軟繼電器(virtual relay)：在PLC中也稱為編程元件，雖沿用繼電器、觸點、線圈等概念，但實際上并不存在對應的物理實體，而僅僅是PLC內部的一些存貯單元，因此常稱為"虛擬元件"或"軟元件"，它們之間的連接就稱為"軟連接"。
68 梯形圖(diagram)：是一種從繼電接觸器控制電路圖演變而來的圖形語言,借助類似繼電器的常開/常閉點、線圈以及串/并聯等術語和符號，根據用戶要求而連接成的表示PLC輸入和輸出之間的邏輯關系的圖形。
69 語句表（statement list）:用指令的助記符進行編程的方法
第三部分
1 能將電信號轉換成可在屏幕上直接觀察的圖像?，F代示波器不僅能定性觀察電路的動態過程，還能定量測量各種電參數，如信號的幅度、頻率、周期、相位等。有些示波器還具有快速變換（FFT）等功能。
2 晶體管毫伏表 ( transistor millivoltmeter )：用來專門測量電壓的電子儀表。與一般指示儀表相比，主要優點是測量頻率范圍寬（DFB217系列：5Hz—2MHz）、量程多（DFB217系列：30V-300V）。
3 信號源（function generator）：能產生各種不同頻率、波形、幅度信號的儀器，也稱信號發生器。
4 電阻器的標稱值（nominal resistance ）：指電阻器標注阻值和誤差的大小。標稱值不是連續的數值，而是由國家或行業標準規定。阻值和誤差標注的方法有文字直接標注和色環標注。其單位為Ω（歐）、kΩ（千歐）、MΩ（兆歐）。
5 電阻測量法（resistance measurement）：在不接通電源的情況下，使用萬用表的歐姆檔測量電阻阻值的實驗與檢測方法，常用于判斷導線或元件的通斷等。
6 電壓測量法（voltage measurement）：在電源接通的情況下，使用電壓表測量電路中有關各點的電位或兩點間電壓的實驗與檢測方法，常用于分析和尋找故障。
7 電阻元件的允許誤差（resistance tolerance）：指電阻器和電位器的實際阻值相對于標稱阻值的最大允許偏差范圍。
8 電位器 (regulation-resistance)：是一種具有三個端子的可變電阻器，其阻值在一定范圍內連續可調。
9 電容器的標稱容量（nominal capacitance）：指電容器電容量的大小。標稱容量不是連續的數值，而是由國家或行業標準規定。電容器標注方法有文字直接標注和色標法。常用單位有μF（微法）和pF（皮法）。
10 電容器的耐壓值（withstand voltage of capacitor）：在技術條件所規定的溫度、壓力和濕度下，電容器長期工作所承受的最大電壓。
11 色標法 (colour code)：指用不同顏色的帶、環或點在產品表面上標志出主要參數的標志方法。
12 靜態調試 (static testing and troubleshooting)：電子電路中，在沒有外加信號的條件下（通常將電路信號輸入端接地，以防干擾）所進行的直流測試和調整過程。
13 動態調試 (dynamic testing and troubleshooting)：電子電路中，輸入端接入信號，按信號的流向逐級檢測各有關點的參數、波形和性能指標是否滿足設計要求。
14 直接觀察法 (direct observe) ：不使用任何儀器，只憑人的視覺、聽覺、嗅覺以及直接觸摸元器件作為手段來尋找和分析故障的方法。
15 參數測試法 (parameters measurement)：借助儀器測試電路中各點參數并與理論分析結果進行比較，如萬用表測各點電壓值是否正常。
16 替代法 (replace way)：用正常元器件或已調好的單元電路取代可疑部分，判斷故障點。如替代后故障消除，則可確定所懷疑的元器件或單元電路有問題。
第四部分
1 安全電壓（safe voltage）：如果通過人體的電流在0.05A以上時，就有生命危險。一般說，接觸36V以下的電壓，通過人體的電流不致超過0.05A，故把36V的電壓作為安全電壓。如果在潮濕的場所，安全電壓還要規定得低一些，通常是24V和12V。E50401000001
2 觸電（electric shock）：觸電是指由于不慎觸及帶電體時，因電流流過人體使其受到各種不同的傷害。觸電可分為直接觸電和間接觸電兩類。按人體所受傷害方式的不同，觸電又可分為電擊和電傷兩種。E50402000001
3 直接觸電（direct contact electric shock）：直接觸電是指人體直接接觸到電器設備正常帶電部分引起的觸電，如單線觸電和兩線觸電。E50402000002
4 間接觸電（indirect contact electric shock）：間接觸電是指人體接觸到正常情況下不帶電、僅在事故情況下才會帶電的部分而發生的觸電。E50402000003
5 單相觸電（single phase electric shock）：在380/220V低壓供電系統中，人體直接接觸到一根裸露的相線時，稱為單相觸電，也稱單線觸電。E50402000004
6 兩相觸電（double phase electric shock）：在380/220V低壓供電系統中，人體直接接觸到兩根裸露的相線時，稱為兩相觸電，也稱兩線觸電。E50402000005
7 跨步電壓（step voltage）：人體進入地面帶電的區域時，兩腳之間承受的電壓稱為跨步電壓。E50402000006
8 跨步電壓觸電（step voltage electric shock）：由跨步電壓造成的觸電稱為跨步電壓觸電。E50402000007
接地（earth）：將電氣設備的任何部分與大地作良好的電氣聯結，稱為接地。E50403000001
10 接零（connect to neutral）：把電氣設備的外殼和電源接地的中線（零線）連接起來，稱為接零。E50403000002
11 電擊（electrical shock）：電擊，主要是電流通過人體內部，影響呼吸系統、心臟和神經系統，造成人體內部組織的破壞，甚至導致死亡。E50402000008
12 電傷（electrical injury）：電傷，主要是指電流的熱效應、化學效應、機械效應等對人體表面或外部造成的局部傷害。E50402000009
13 工作接地（working earth）：為了保證電力系統安全正常運行，將三相電源的中點接地，這種接地方式稱為工作接地。這時的中線通常又稱地線。E50403000003
14 保護接地（protective earth）：在電源的中性點不接地的三相三線制供電系統中，將用電設備的金屬外殼通過接地裝置與大地作良好的導電連接，這種保護措施稱為保護接地。這一系統稱為IT系統。E50403000004
15 保護接零（protective connect to neutral）：在電源的中性點接地的三相四線制供電系統中，將用電設備的金屬外殼與零線可靠連接，這種保護措施稱為保護接零。這一系統稱為TN系統。E50403000005
16 重復接地（repetitive earth）：為了保證電力系統安全正常運行，除了在電源中性點進行工作接地外，還要在零線的一定間隔距離及終端進行多次接地，稱為重復接地。E50403000006
17 漏電開關（leakage switch）：漏電開關是漏電電流動作保護裝置的簡稱，主要用于低壓供電系統防止直接和間接接觸的單線觸電事故，同時還能起到防止由漏電引起的火災和用于監測或切除各種單相接地故障的作用。有的漏電開關還兼有過載、過壓或欠壓及缺相等保護功能。E50403000007
18 靜電（static electricity）：靜電是指在宏觀范圍內暫時失去平衡的相對靜止的正、負電荷，是由于物體間相互摩擦或感應而產生的。E50404000001
19 雷電（lightning）：雷電是一種大氣放電的現象，是由帶有不同電荷的云層放電而產生的。在放電過程中產生強烈的電光（閃電）和巨響（雷鳴），同時還將產生強大的電壓和電流，雷電壓可高達幾十萬～幾百萬伏，雷電流可高達幾千安。時間雖短，但能量極大，足以使建筑物和電氣設備受到破壞。E50405000001
20 直擊雷（direct lightning strike）：直擊雷是指雷云與帶異性電荷的建筑物之間的放電。E50405000002
感應雷（lighting induction）：感應雷分靜電感應和電磁感應兩種：
（1）靜電感應（electrostatic induction）：由于雷云在建筑物的頂部感應了大量異性電荷，雷云放電后，頂部的電荷頓時失去束縛，對地呈現高電壓。
（2）電磁感應（electromagnetic induction）：雷擊時巨大的雷電流在周圍空間產生的迅速變化的強大電磁場，這種電磁場也會在附近的金屬導體上感應出很高電壓。E50405000003
22 避雷針（lightning rod）：避雷針一般應用在各種電氣設備、變電所、高大建筑物和煙囪上。其原理是將云中電荷引到金屬針上并安全導入地中，故可形象地稱之為"引雷針"。避雷針有三個組成部分：（1）接閃器（針頭）；（2）接地引下線，或稱引下線或接地線；（3）接地裝置。E50405000004
23 避雷線（lightning wire）：避雷線用在35kV以上的高壓輸電線上，一般架設在電力線之上，在電桿處用引下線與接地裝置連接引到大地中。其原理是避雷線高于導線，首先被雷電擊中，將雷電流導入大地。E50405000005
24 避雷器（lightning arrester）：避雷器是防止設備受到雷波、雷電的電磁作用而產生感應過電壓的保護裝置。E50405000006
第五部分
1 導體（conductor）：容易傳導電流的材料稱為導體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導電流的材料稱為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導體（semiconductor）：導電能力隨外界條件發生顯著變化的材料稱為半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導體（intrinsic semiconductor）：不含雜質，完全純凈的、結構完整的半導體晶體稱為本征半導體。E50601010104
5 雜質半導體（extrinsic semiconductor）：在本征半導體中摻入微量的雜質元素，其導電性能就會發生顯著的改變。摻有雜質的本征半導體稱為雜質半導體。因摻入雜質的不同，雜質半導體分為N型半導體和P型半導體。E50601010105
6 N型半導體（N-type semiconductor）：在本征半導體中摻入微量五價元素（如磷（P）、砷（As））的雜質后，自由電子成為多數載流子，而空穴成為少數載流子。這種主要依靠自由電子導電的雜質半導體稱為N型半導體。E50601010106
7 P型半導體（P-type semiconductor）：在本征半導體中摻入微量三價元素（如硼（B）、銦（In））的雜質后，空穴成為多數載流子，而自由電子成為少數載流子。這種主要依靠空穴導電的雜質半導體稱為P型半導體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱為空穴?？昭ǖ某霈F是半導體區別于導體的一個重要特點，通?？蓪⒖昭ㄒ暈閹д姷牧Ｗ?。E50601010108
9 載流子（carrier）：在半導體中，將能移動的電荷統稱為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴散（diffusion）：在P型半導體和N型半導體的交界處，由于多數載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區域向濃度低的區域運動，多數載流子的這種運動稱為擴散。擴散和漂移產生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴散產生的內電場作用下，少數載流子有規則的運動，稱為漂移運動，簡稱漂移。漂移和擴散產生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結（PN junction）：由于載流子的擴散和漂移，在P區和N區交界處的兩側形成一個空間電荷區（space-charge region），這個空間電荷區稱為PN結。PN結也稱為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區中，多數載流子擴散到對方并被復合掉，或者說多數載流子被消耗盡了，所以這個空間電荷區也稱為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區中，由靜止電荷所建立的內電場對多數載流子的擴散起阻擋作用，所以這個空間電荷區又稱為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結上外加一定的電壓，稱為偏置。在PN結上加正向電壓，稱為正向偏置，簡稱正偏（forward bias）；在PN結上加反向電壓，稱為反向偏置，簡稱反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導體二極管（PN junction diode）：在一個PN結的P區和N區分別加上相應的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱為半導體二極管。E50601020101
17 二極管導通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向導通時其兩端所加的電壓稱為二極管導通壓降，如硅管的導通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過二極管的電流之間的關系稱為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區（dead zone）：當二極管所加的正向電壓較小時，由于外部電場不足以克服內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，因此這時的正向電流很小，二極管呈現較高的電阻。這段區域稱為“死區”。E50601020203
20 最大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時所能承受的最高反向電壓。一般規定最大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過一定范圍時，由少數載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內增加反向電壓不會使少數載流子的數目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無關，故此時的反向電流通常稱為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉變為直流電的過程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉變為直流電的過程叫整流。將整流輸出的單向脈動電壓變換為脈動程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。E50605020001
24 參數（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數據稱為參數。參數一般可從手冊中查到。E50601020301
25 穩壓管（Zener diode）：穩壓管又稱齊納二極管，是工作在反向擊穿區的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態下的恒壓特性構成簡單的穩壓電路。E50601020401
26 溫度系數（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數。通常用某個電壓變化的百分數與元器件工作環境溫度的變化量的度數之比來表示，由元器件生產廠提供。當環境溫度上升時，元器件的有關參數值也上升，稱為正溫度系數；反之為負溫度系數。例如穩壓管，穩定電壓在6伏以上時，溫度系數為正； 6伏以下時，溫度系數為負。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導電，并有三個電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場效應晶體管（field-effect transistor ，FET）：場效應晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導電、并有三個電極的電壓控制型器件。場效應晶體管可分為結型和絕緣柵型兩大類，絕緣柵型場效應晶體管（insulated gate type FET）又稱為MOS場效應晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當發射極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共發射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當集電極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發射極是輸出端所組成的電路就稱為共集電極電路，也稱為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當基極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，發射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關系，稱為輸入特性。一般用曲線表示，稱為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關系，稱為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數，例如共基極接法時的電流放大系數α、共射極接法時的電流放大系數β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發射極開路時，集電結在反向電壓的作用下，集電區的少數載流子向基區漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發射極反向飽和電流又稱穿透電流，是指當基極開路時，集電極和發射極之間流過的電流。E50601030402
37 集電極最大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極最大允許電流是指晶體管參數的變化不超過規定允許值時（功率與電壓未超過額定值，一般指β值沒有下降到正常參數的 時）集電極電流的最大值。E50601030403
38 集電極最大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時，集電結的功率最大值，如果超過此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號（電流、電壓或功率）比輸入信號大，稱為放大。其實質是通過電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉化為負載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號時放大電路的等效電路稱為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號較小（微變信號）時，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進行分析，這種特定的分析方法稱為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號（ ）時的工作狀態稱為放大電路的靜態。 E50602020001
43 靜態工作點（quiescent operating point）：靜態時，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對應的工作點，用Q表示。E50602020002
44 靜態分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態工作點，即確定電路中靜態的相關參數。E50602020003
45 動態（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號（ ）時的工作狀態稱為放大電路的動態。E50602030001
46 動態分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關動態參數，如電壓放大倍數 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對信號源（或對前級放大電路）來說是一個負載，它可以用一個等效電阻來替代，這個等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個動態電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對負載（或對后級放大電路）來說，可以等效為一個電源模型，該電源模型的內阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個動態電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數 （voltage amplification factor）：電壓放大倍數是衡量放大電路放大輸入信號能力的基本參數，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開環（open-loop）：輸出信號對輸入不存在任何作用時電路所處的狀態稱為開環。E50603020102
51 閉環（closed-loop）：輸出信號對輸入存在作用時電路所處的狀態稱為閉環。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號與輸入信號之比的模量稱為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對數表達，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號的波形未能完全復現輸入信號的波形的現象稱為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱為非線性失真，其特點是產生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態工作點不合適或者信號太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區所產生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類互補功放電路里,兩個功放管交替工作，在信號過零前后功放管靜態工作電流接近零，功放管進入截止區，由此造成的輸出波形失真稱為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分數稱為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過圖解分析放大電路的工作狀態和性能參數的方法，稱為圖解法。E50602020203
第六部分
1 導體（conductor）：容易傳導電流的材料稱為導體，如金屬、電解液等。E50601010101
2 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導電流的材料稱為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等。E50601010102
3 半導體（semiconductor）：導電能力隨外界條件發生顯著變化的材料稱為半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。E50601010103
4 本征半導體（intrinsic semiconductor）：不含雜質，完全純凈的、結構完整的半導體晶體稱為本征半導體。E50601010104
5 雜質半導體（extrinsic semiconductor）：在本征半導體中摻入微量的雜質元素，其導電性能就會發生顯著的改變。摻有雜質的本征半導體稱為雜質半導體。因摻入雜質的不同，雜質半導體分為N型半導體和P型半導體。E50601010105
6 N型半導體（N-type semiconductor）：在本征半導體中摻入微量五價元素（如磷（P）、砷（As））的雜質后，自由電子成為多數載流子，而空穴成為少數載流子。這種主要依靠自由電子導電的雜質半導體稱為N型半導體。E50601010106
7 P型半導體（P-type semiconductor）：在本征半導體中摻入微量三價元素（如硼（B）、銦（In））的雜質后，空穴成為多數載流子，而自由電子成為少數載流子。這種主要依靠空穴導電的雜質半導體稱為P型半導體。E50601010107
8 空穴（hole）：電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱為空穴?？昭ǖ某霈F是半導體區別于導體的一個重要特點，通常可將空穴視為帶正電的粒子。E50601010108
9 載流子（carrier）：在半導體中，將能移動的電荷統稱為載流子，包括電子和空穴。E50601010109
10 擴散（diffusion）：在P型半導體和N型半導體的交界處，由于多數載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區域向濃度低的區域運動，多數載流子的這種運動稱為擴散。擴散和漂移產生方向相反的電流。E50601010201
11 漂移（drift）：在擴散產生的內電場作用下，少數載流子有規則的運動，稱為漂移運動，簡稱漂移。漂移和擴散產生方向相反的電流。E50601010202
12 PN結（PN junction）：由于載流子的擴散和漂移，在P區和N區交界處的兩側形成一個空間電荷區（space-charge region），這個空間電荷區稱為PN結。PN結也稱為耗盡層或阻擋層。E50601010203
13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區中，多數載流子擴散到對方并被復合掉，或者說多數載流子被消耗盡了，所以這個空間電荷區也稱為耗盡層。E50601010204
14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區中，由靜止電荷所建立的內電場對多數載流子的擴散起阻擋作用，所以這個空間電荷區又稱為阻擋層。E50601010205
15 偏置（bias）：在PN結上外加一定的電壓，稱為偏置。在PN結上加正向電壓，稱為正向偏置，簡稱正偏（forward bias）；在PN結上加反向電壓，稱為反向偏置，簡稱反偏（reverse bias）。E50601010206
16 半導體二極管（PN junction diode）：在一個PN結的P區和N區分別加上相應的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱為半導體二極管。E50601020101
17 二極管導通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向導通時其兩端所加的電壓稱為二極管導通壓降，如硅管的導通壓降為0.6V~0.7V，鍺管為0.2V~0.3V，砷化鎵為1.3 ~1.5V等。E50601020201
18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過二極管的電流之間的關系稱為二極管的伏安特性。E50601020202
19 死區（dead zone）：當二極管所加的正向電壓較小時，由于外部電場不足以克服內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，因此這時的正向電流很小，二極管呈現較高的電阻。這段區域稱為“死區”。E50601020203
20 最大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時所能承受的最高反向電壓。一般規定最大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2~2/3。E50601020302
21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過一定范圍時，由少數載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內增加反向電壓不會使少數載流子的數目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無關，故此時的反向電流通常稱為反向飽和電流。E50601020303
22 整流（rectification）：將交流電轉變為直流電的過程叫整流。E50605010001
23 濾波（filtering）：將交流電轉變為直流電的過程叫整流。將整流輸出的單向脈動電壓變換為脈動程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。E50605020001
24 參數（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數據稱為參數。參數一般可從手冊中查到。E50601020301
25 穩壓管（Zener diode）：穩壓管又稱齊納二極管，是工作在反向擊穿區的特殊硅二極管，常利用它在反向擊穿狀態下的恒壓特性構成簡單的穩壓電路。E50601020401
26 溫度系數（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數。通常用某個電壓變化的百分數與元器件工作環境溫度的變化量的度數之比來表示，由元器件生產廠提供。當環境溫度上升時，元器件的有關參數值也上升，稱為正溫度系數；反之為負溫度系數。例如穩壓管，穩定電壓在6伏以上時，溫度系數為正； 6伏以下時，溫度系數為負。E50601020402
27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導電，并有三個電極的電流控制型器件。E50601030001
28 場效應晶體管（field-effect transistor ，FET）：場效應晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導電、并有三個電極的電壓控制型器件。場效應晶體管可分為結型和絕緣柵型兩大類，絕緣柵型場效應晶體管（insulated gate type FET）又稱為MOS場效應晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。E50601040001
29 共發射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當發射極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共發射極電路。E50602010101
30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當集電極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發射極是輸出端所組成的電路就稱為共集電極電路，也稱為射極輸出器、射極跟隨器。E50602010102
31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個電極分別是輸入端和輸出端。當基極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，發射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共基極電路。E50602010103
32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關系，稱為輸入特性。一般用曲線表示，稱為輸入特性曲線。E50601030301
33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關系，稱為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。E50601030302
34 電流放大系數（current amplification coefficient）：表征BJT電流控制作用的參數，例如共基極接法時的電流放大系數α、共射極接法時的電流放大系數β。E50601030201
35 集電極—基極反向飽和電流ICBO（collector –base reverse saturation current）：集電極—基極反向飽和電流指發射極開路時，集電結在反向電壓的作用下，集電區的少數載流子向基區漂移而形成的反向電流。E50601030401
36 集電極—發射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極—發射極反向飽和電流又稱穿透電流，是指當基極開路時，集電極和發射極之間流過的電流。E50601030402
37 集電極最大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極最大允許電流是指晶體管參數的變化不超過規定允許值時（功率與電壓未超過額定值，一般指β值沒有下降到正常參數的 時）集電極電流的最大值。E50601030403
38 集電極最大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時，集電結的功率最大值，如果超過此值，器件就可能損壞。E50601030404
39 放大（amplification）：輸出信號（電流、電壓或功率）比輸入信號大，稱為放大。其實質是通過電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉化為負載所需要的電能形式。E50602000001
40 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號時放大電路的等效電路稱為微變等效電路。E50602030201
41 微變等效電路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號較?。ㄎ⒆冃盘枺r，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進行分析，這種特定的分析方法稱為微變等效電路分析法。E50602030202
42 靜態（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號（ ）時的工作狀態稱為放大電路的靜態。 E50602020001
43 靜態工作點（quiescent operating point）：靜態時，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對應的工作點，用Q表示。E50602020002
44 靜態分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態工作點，即確定電路中靜態的相關參數。E50602020003
45 動態（dynamic state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號（ ）時的工作狀態稱為放大電路的動態。E50602030001
46 動態分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關動態參數，如電壓放大倍數 、輸入電阻和輸出電阻 等。E50602030002
47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對信號源（或對前級放大電路）來說是一個負載，它可以用一個等效電阻來替代，這個等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻是一個動態電阻。E50602030101
48 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對負載（或對后級放大電路）來說，可以等效為一個電源模型，該電源模型的內阻定義為放大電路的輸出電阻。輸出電阻是一個動態電阻。E50602030102
49 電壓放大倍數 （voltage amplification factor）：電壓放大倍數是衡量放大電路放大輸入信號能力的基本參數，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。E50602030103
50 開環（open-loop）：輸出信號對輸入不存在任何作用時電路所處的狀態稱為開環。E50603020102
51 閉環（closed-loop）：輸出信號對輸入存在作用時電路所處的狀態稱為閉環。E50603020103
52 增益（gain）：輸出信號與輸入信號之比的模量稱為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10為底的對數表達，其單位為分貝（dB）。E50602030104
53 失真（distortion）：輸出信號的波形未能完全復現輸入信號的波形的現象稱為失真。E50602020201
54 非線性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱為非線性失真，其特點是產生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態工作點不合適或者信號太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區所產生的失真，包括截止失真和飽和失真。E50602020202
由于晶體管的截止引起的非線性失真稱為截止失真（cut-off distortion）。
由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱為飽和失真（saturation distortion）。
55 交越失真（crossover distortion）：在乙類互補功放電路里,兩個功放管交替工作，在信號過零前后功放管靜態工作電流接近零，功放管進入截止區，由此造成的輸出波形失真稱為交越失真。E50602070301
56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分數稱為效率。E50602070202
57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過圖解分析放大電路的工作狀態和性能參數的方法，稱為圖解法。E50602020203
61 耦合（coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間的連接稱為耦合。E50602060101
62 阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過電阻、電容連接的方式稱為阻容耦合。E50602060102
63 變壓器耦合（transformer coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過變壓器傳遞信號的方式稱為變壓器耦合。E50602060103
64 直接耦合（direct coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間直接連接的方式稱為直接耦合。E50602060104
65 光電耦合（photoelectric coupling）：利用光電效應進行放大器之間信號傳遞的方式稱為光電耦合。E50602060105
66 光電效應（photoeffect）：指可見光、紅外線或紫外線在某些物質上照射而引起的電子發射的過程。例如某些半導體材料受到光照時，其材料的電導率顯著增加。E50602060106
67 零點漂移（zero drift）：零點漂移是指在放大電路中，當輸入端無輸入信號時，輸出端的電壓受外界因素影響偏離初始值，在初值上下漂動的（不穩定的）現象，簡稱零漂。E50603010101
70 虛短（virtual short）：工作在線性區域的集成運算放大器，其兩個輸入端之間的電壓通常接近于零，即同相端的電位近似等于反相端的電位，這種近似短接，其實并未短接的現象稱為虛短路，簡稱“虛短”。E50603010302
71 虛地（virtual ground）：工作在線性區域的反相輸入運算放大器，因同相輸入端接地，根據“虛短”的結論，其反相輸入端的電位接近于“地”電位，其實并未接地，將這種現象稱之為“虛地”。E50603010303
72 虛斷（virtual break）：工作在線性區域的理想運算放大器，由于其輸入電阻無窮大，同相輸入端和反相輸入端的輸入電流幾乎為零，這種相當于斷路，其實并不能斷路的狀態稱之為“虛斷”。E50603010304
74 集成運算放大器（operational amplifier）：一種增益極高的多級直接耦合放大器，是一種重要模擬集成電路。E50603010102
84 復合晶體管（compound-connected transistor）：將兩只或多只三極管的電極通過適當連接，作為一個管子來使用，即組成復合晶體管，或稱達林頓（Darlington）管。E50602070203
85 自激振蕩（oscillation）：當放大電路的輸入端無外加信號，而它的輸出端仍有一定頻率和幅度的信號輸出，這種現象稱為自激振蕩。工程上常利用正反饋產生自激振蕩。E50604010001
86 選頻網絡（frequency-selective network）：利用網絡的諧振特性，將信號中與網絡諧振頻率相等的成分輸出給負載，而將其他頻率的信號加以抑制，具有該功能的網絡稱為選頻網絡。E50604010101
87 夾斷電壓 （pinch-off voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，耗盡型MOS管中，使漏電流等于某一微小值時，柵—源極間所加的偏壓就是夾斷電壓。增強型MOS管無此參數。E50601040301
88 開啟電壓 （threshold voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，增強型MOS管開始導通（漏電流出現）的最小的柵源電壓值就是開啟電壓。耗盡型MOS管無此參數。E50601040302
89 飽和漏極電流 （saturation drain current）：耗盡型MOS管在柵源電壓為零（即 ）的條件下，管子發生預夾斷時的漏極電流稱為飽和漏極電流。增強型MOS管無此參數。E50601040303
90 低頻跨導 （low-frequency transconductance）：在低頻條件下，在漏源電壓為某一固定數值的條件下，漏極電流的微變量（）與引起這個變化的柵源電壓微變量（ ）之比稱為跨導，即 。E50601040304
91 N溝道（N-channel）：通常把P型襯底表面形成的N型薄層稱為反型層，該反型層形成漏、源之間的N型導電溝道，簡稱N溝道。E50601040102
92 P溝道（P-channel）：通常把N型襯底表面形成的P型薄層稱為反型層，該反型層形成漏、源之間的P型導電溝道，簡稱P溝道。E50601040103
93 增強型場效應管（enhancement type FET）：指一種金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，在其柵壓為零時漏極電流為零，即沒有導電溝道。依靠外加柵壓的正向增加，形成感生溝道，使漏極電流逐漸增加。這種導電溝道從無到有的過程稱為增強。具有這種工作特點的場效應晶體管稱為增強型場效應管。E50601040104
94 耗盡型場效應管（depletion type FET）：指一種金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，在其柵壓為零并且漏極電壓一定時，就有較大的漏極電流，即存在導電溝道。隨外加柵壓的反向增加，漏極電流逐漸減小。這種導電溝道從有到無的性質稱為耗盡。具有這種工作特點的場效應晶體管稱為耗盡型場效應管。E50601040105
95 轉移特性（transfer characteristics）：轉移特性表征了在一定的下，與之間的關系：它是柵源電壓 對漏極電流 的控制作用的體現。E50601040201
96 電力電子技術（power electronics）：電力電子技術是一門介于電力、電子和自動控制三大技術領域之間的邊沿學科，或者說是以電力為對象的電子技術。它是利用電力半導體器件進行電能變換和控制的技術，其應用已滲透到國民經濟的各個領域。E50606000001
97 晶閘管（thyristor）：又稱可控硅整流器（SCR），是一種大功率的四層三端半導體器件，習慣叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅。所有這些器件統稱為晶體閘流管，簡稱晶閘管。通常所說的可控硅就是普通晶閘管，所有派生器件則屬于特殊晶閘管。E5060601000198 可控整流（controlled rectification）：在晶閘管承受正向電壓的時間內，通過改變觸發脈沖相位從而改變晶閘管的導通角來控制整流輸出電壓的大小，這種整流方式稱為可控整流。
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